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6ES7 214-2AD23-0XB0

6ES7 214-2BD23-0XB0

6ES7 214-2AS23-0XB0

電源電壓

額定值

• 24 V DC

√

√

• 允許范圍，下限 (DC)

20.4 V

20.4 V

• 允許范圍，上限 (DC)

28.8 V

28.8 V

• 120 V AC

√

• 230 V AC

√

• 允許范圍，下限 (AC)

85 V

• 允許范圍，上限 (AC)

264 V

• 允許頻率范圍，下限

47 Hz

• 允許頻率范圍，上限

63 Hz

負(fù)載電壓 L+

• 額定值(DC)

24 V

24 V

24 V

• 允許范圍，下限 (DC)

20.4 V

5 V

20.4 V

• 允許范圍，上限 (DC)

28.8 V

30 V

28.8 V

負(fù)載電壓L1

• 額定值(AC)

100 V；100 - 230 VAC

• 允許范圍，下限 (AC)

5 V

• 允許范圍，上限(AC)

250 V

• 允許頻率范圍，下限

47 Hz

• 允許頻率范圍，上限

63 Hz

電流消耗

突波電流，*大

28.8 V 時(shí) 12 A

264 V 時(shí) 20 A

28.8 V 時(shí) 12 A

從電源L+ 供電，*大

900 mA; 120 - 900 mA,擴(kuò)展模塊輸出電流(5 VDC) 660 mA

900 mA; 120 - 900 mA,擴(kuò)展模塊輸出電流(5 VDC) 660 mA

從電源L1供電，*大

220 mA; 35 - 100 mA (240 V); 70 - 220 mA (120 V); 擴(kuò)展模塊輸出電流 (5 VDC) 600 mA

后備電池

電池選件

• 后備時(shí)間，*大

100 小時(shí)；（40 ℃ 時(shí)，*短 70 小時(shí)）；帶有可選電池模塊時(shí)，200 天（典型值）

100 小時(shí)；（40 ℃ 時(shí)，*短 70 小時(shí)）；帶有可選電池模塊時(shí)，200 天（典型值）

100 小時(shí)；（40 ℃ 時(shí)，*短 70 小時(shí)）；帶有可選電池模塊時(shí)，200 天（典型值）

存儲器

存儲類型

存儲模塊數(shù)量(選件)

1，可插入存儲模塊，內(nèi)容存儲在內(nèi)置的EEPROM中，此外還可以存儲配方、數(shù)據(jù)記錄和其他文件。

1，可插入存儲模塊，內(nèi)容存儲在內(nèi)置的EEPROM中，此外還可以存儲配方、數(shù)據(jù)記錄和其他文件。

1，可插入存儲模塊，內(nèi)容存儲在內(nèi)置的EEPROM中，此外還可以存儲配方、數(shù)據(jù)記錄和其他文件。

數(shù)據(jù)和程序存儲器

• 數(shù)據(jù)存儲器，*大

10 KB

10 KB

10 KB

• 程序存儲器，*大

16 Kibyte；12 KB，有源運(yùn)行時(shí)編輯

16 Kibyte；12 KB，有源運(yùn)行時(shí)編輯

16 Kibyte；12 KB，有源運(yùn)行時(shí)編輯

后備

• 提供

√；程序：集成 EEPROM 上的整個(gè)程序免維護(hù)，可通過 CPU 編程；數(shù)據(jù)：集成 EEPROM 上從編程器/PC 加載的整個(gè) DB 1 免維護(hù)，RAM 中 DB 1 的電流值，通過高性能電容器，非易失性內(nèi)存位、計(jì)時(shí)器、計(jì)數(shù)器等免維護(hù)；可選電池，用于長期緩沖

√；程序：集成 EEPROM 上的整個(gè)程序免維護(hù)，可通過 CPU 編程；數(shù)據(jù)：集成 EEPROM 上從編程器/PC 加載的整個(gè) DB 1 免維護(hù)，RAM 中 DB 1 的電流值，通過高性能電容器，非易失性內(nèi)存位、計(jì)時(shí)器、計(jì)數(shù)器等免維護(hù)；可選電池，用于長期緩沖

√；程序：集成 EEPROM 上的整個(gè)程序免維護(hù)，可通過 CPU 編程；數(shù)據(jù)：集成 EEPROM 上從編程器/PC 加載的整個(gè) DB 1 免維護(hù)，RAM 中 DB 1 的電流值，通過高性能電容器，非易失性內(nèi)存位、計(jì)時(shí)器、計(jì)數(shù)器等免維護(hù)；可選電池，用于長期緩沖